骁龙675是首款使用三星11纳米工艺打造的高通移动平台

虽然命名归入6系，但骁龙675上却出现了诸多新特性，包括核心架构、制程工艺等，甚至要比高通骁龙710乃至845更加先进。

首先，高通骁龙675拥有8个核心，分2个大核心和6个小核心，核心架构被命名为Kryo 460，大核心最高主频2.0Ghz，小核心最高主频1.7Ghz。另外，高通骁龙675并非使用骁龙670、骁龙710上的10纳米工艺打造，制程工艺是由三星代工的11纳米，这也是首款使用三星11纳米工艺打造的高通移动平台。

新工艺暂且不说，骁龙675也是首款Kryo 4系列架构的芯片，以往新核心架构都会由8系列旗舰芯片首发，6系列芯片首发新架构还是第一次。而且，这个Kryo 460架构实际上是从ARM A76架构“魔改”而来，也就是说只看大核心的话，骁龙675的大核和海思麒麟980的大核在同一个水准，不过主频低一些而已。

高通官方表示，骁龙675的性能比骁龙670提升了20%，如果这样看的话GeekBench 4单核成绩很可能突破2000分，在2100到2200分左右。如果真有这样的成绩，那么在单核成绩上，骁龙675已经超过了高通骁龙835。

只不过，作为一款中端产品，高通自然不会将所有的好东西都放到上面去。例如，骁龙675只支持最高X12的基带，最高传输速度为下行600Mbps，只支持FHD+的屏幕分辨率，GPU型号为Adreno 612，命名上来看规格可能比骁龙670还要低一些。

高通表示，搭载骁龙675的终端产品会在2019年第一季度正式面世，从OPPO和vivo与高通的合作情况来看，这两家厂商最有可能首发这一款CPU。

无线快充方案Quick Charge 4+最高功率可达32W

峰会上，高通还介绍了最新快速充电解决方案——Quick Charge 4+，其包括增强的双路充电、智能热平衡和其他层面的先进安全特性。Quick Charge 4是一项卓越的充电解决方案，可以在大约15分钟或更短时间内充入高达50%的电池电量。通过将上述新特性集成至终端和充电器中，Quick Charge 4+的充电速度可以比Quick Charge 4快达15%或效率提升达30%。

通过功率传输方式的进一步发展，采用支持双路充电技术的Quick Charge的移动终端可以实现高达97%的效率，这意味着充电过程中的电量损耗更少、节约能源并减少终端内产生的热量。此外，Quick Charge 4+现在还集成了一项全新电池感知技术，可以直接测量电池电压并让系统更准确地获得电池的当前状态，这样它们能够更长时间地保持大电流充电，从而进一步缩短充电时间。

Quick Charge 4+还支持USB Power Delivery（USB PD）作为主要通信方式，从而提供“一款解决方案满足所有充电需求”的体验。这意味着无论终端是否内置Quick Charge或是否采用Qualcomm骁龙架构，配备Quick Charge 4+的充电器都可以支持终端进行充电。