去年三星率先发布的3D V-NAND技术，所有相关介绍都说其可以使SSD实现更高的存储密度、写入速度、更低的功耗以及更高的稳定性，让大家对其抱有很高的期望。就在本月，采用3D V-NAND技术的三星 850PRO和850EVO正式发布，这也意味着3DV-NAND已经实现商品化，那么全新的3DV-NAND技术的表现究竟如何呢？

3D V-NAND技术揭秘

        作为闪存芯片（NAND)制造的新技术，3D V-NAND主要从结构方面对闪存芯片进行了改进。在之前的闪存芯片中，采用的都是2D平面设计的存储单元（Cell）技术。使用3D V-NAND技术之后，则将闪存芯片中的晶体管竖了起来，然后用绝缘体和控制栅极环绕包围这这些晶体管，这样就形成了一个“站立”起来的同轴结构体。将这些同轴结构体一层层向上堆叠，形成多层结构，就构成了3D V-NAND的基本形态。

闪存芯片传统结构（左）和3D结构的对比（右）

        不难看出，使用3D V-NAND技术之后，好比让平房变成了高楼，就能在同一面积的闪存芯片中装入更多的存储单元，有利于增加单位面积内的存储容量。去年最早发布的3D V-NAND技术，只能堆叠24层，而在刚刚发布的三星新款850pro和850evo中，已经能实现32层的堆叠。

3D垂直堆叠技术的进化