追上台积电!三星计划2022年首发3nm GAA工艺
- 2020/11/20 10:53:00
- 类型:原创
- 来源:电脑报
- 报纸编辑:电脑报
- 作者:钛师父
【电脑报在线】在半导体晶圆代工上,台积电、三星都是重要的厂商。
不过在最近几代的10m、7nm、5nm等工艺上,三星的量产进度均落后于台积电,从而让台积电出尽了风头。为了追上台积电,三星在2019年启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元,约合1160亿美元称为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一。
三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。
最新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。
难怪之前台积电宣布2023年下半年就准确试产2nm工艺,看来也是感受到了来自三星的压力。
本文出自2020-11-16出版的《电脑报》2020年第44期 A.新闻周刊
(网站编辑:xiaohuang)
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