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迎接学生装机高峰 解析内存选购技巧
  • 2012-2-10 4:33:00
  • 类型:转载
  • 来源:中关村在线
  • 网站编辑:admin
【电脑报在线】    元宵节刚过,大学生们陆续返校,电脑城迎来一年中最重要的装机高峰,低廉的价格、超大容量让内存格外受到消费者关注。面对品牌众多、款式多样的内存,许多不太熟悉市场或内存产品的消费者在购买时往往不知道如何挑选?        不少网友在敲打Word文档或者


    ●选择什么样的频率?

    频率是内存的关键性能指标,针对不同的内存颗粒制造工艺,内存频率也各不相同,从最早的默认频率DDR3-1066、目前主流的DDR3-1333、即将主推的DDR3-1600。他们也分别和内存颗粒的制造工艺戚戚相关,即将主推的DDR3-1600即由先进的30纳米工艺制造。

    


    30nm工艺制造的三星2GBDDR3-1600“黑武士”内存

    不过并非内存频率越高越好,内存频率的支持与否,主要看CPU的内存控制器。主流的AMDAM3处理器内置内存控制器,仅支持DDR3-1066内存。而最新LGA2011借口的i73960X处理器,其内存控制器默认支持DDR3-1600内存。

    

    SNB-Ei7-3000系列处理器支持最大64GB的4通道DDR3-1600内存

    因此消费者需要根据自己所购买的处理器来决定内存的频率,鉴于目前支援DDR3-1600的处理器均为高端产品,高端用户更倾向于超频内存,不再纠结内存频率的取舍。因此DDR3-1333内存已能满足绝大多数主流用户的需求。DDR3-1066内存停产已有时日,市面基本绝迹,不会干扰消费者的选购。

    ●CL延时周期也要注意

    

    主流4GBDDR3-1333普条的延时周期为CL9

    影响内存速度的两个重要参数一个是频率,另一个就是CL延时周期。其中,伴随着CL值还有几个相关参数,分别是:TRCD参数、TRP参数、TRAS等,这些参数值越小代表性能越高。

    有趣的是,内存CL延时周期,随着内存频率的提高而不断增加,比如DDR3-1066内存为CL7,DDR3-1333为CL9,DDR3-1600为CL11。因此,笔者建议在相同内存容量、频率条件下,尽量购买CL参数低的产品。

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  • 第1页:解析内存选购技巧
  • 第2页:容量如何选单条1GB-8GB任你选
  • 第3页:内存控制器不支持频率再高也枉然
  • 第4页:品牌百花齐放金士顿走下神坛
  • 第5页:最为关键:部件和做工决定内存品质
  • 第6页:内存真假难辨必练火眼金睛
  • 第7页:别迷信传言走出内存选购误区
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