3DXPoint为何能如此出色？

       3DXPoint是如何做到速度比目前的NAND快1000倍，且寿命更长，而储存密度则是DRAM 10倍的呢？

       我们先从存储密度说起，3DXPoint产品的结构相当简单，完整的存储器仅由存储单元、控制存储单元的选择器以及读写总线构成，与传统内存颗粒内部复杂的电容、晶体管结构来说，可是简单多了。这样一来每一个存储单元所占的空间就比传统产品小了很多，再加上3DXPoint还采用层叠原理，将数个存储单元垂直安装，这就更进一步提升存储密度，从而实现储存密度则是内存的10倍。需要注意的是，在这里与3DXPoint产品进行对比的是DRAM，这是因为英特尔悄悄地偷换了概念。因为NAND也开始采用了3D层叠技术，3DXPoint与3D NAND的容量密度将会基本相当，所以现阶段依靠3DXPoint来大幅度提升SSD的容量概率并不太高。而3DXPoint内存的容量有望大幅提升，年初英特尔就展示了6TB容量的3DXPoint内存。

图：3DXPoint存储结构与原理。

       同时由于NAND在写入或擦除数据时，电子要在栅级和源极之间的绝缘层之间流动，电子的进进出出，就让绝缘层变得千疮百孔，一旦绝缘层损坏漏电，那这个存储单元也就无法使用了。更为重要的是NAND制程越先进，绝缘层的厚度和面积也必然减小，寿命反而越短。而3DXPoint技术通过特殊材料形态变化来控制阻值变化，材料本身并不会因形态重复变化而导致性能衰退，这也就是3DXPoint敢于宣称其寿命可以延长1000倍的所在。再加上3DXPoint产品的寿命并不会随着制程进化而降低，这样，在未来的发展中，就可以随着制程的进化而增加存储密度，降低成本，因此3DXPoint技术更具发展潜力。

图：NAND在写入和擦除过程中的电子移动，将损坏绝缘层，影响寿命

       在大家最关心的性能上，NAND的每一个存储单元，都需要一只晶体管进行处理，晶体管在低功耗状态下的延迟、开关速度等，都会影响到NAND的读写速度，而于3DXPoint产品在单个单元的读写过程中，依靠的都是电阻自身阻值的变化，无需晶体管的介入，只需要在末端控时，需要控制芯片的进行处理。在数据量巨大时，存储单元晶体管即便是微妙级别的延时，都会对数据总吞吐量造成巨大的影响，相反，控制级芯片对于功耗的敏感度较低，其延时可以做到纳秒级的，这对于总体速度提升大有帮助。不过目前在英特尔自己做的实测中，3DXPoint产品的IOPS、延迟性能也只是P3700 的7.13倍、8.11倍，显然3DXPoint还有不小的性能提升空间。