延迟能更低 美光展示新型DRAM内存技术
- 2012-3-18 0:12:00
- 类型:转载
- 来源:IT168
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【电脑报在线】 【IT168资讯】美光、Xilinx近日联合展示了一种新型的DRAM内存技术标准“RLDRAM3”,其中的RL代表着ReducedLatency(降低延迟),主要面向高端网络应用,诸如封包缓冲、侦测、链表、查询表等等。 ▲RLDRAM3 目前展
【IT168资讯】美光、Xilinx近日联合展示了一种新型的DRAM内存技术标准“RLDRAM3”,其中的RL代表着ReducedLatency(降低延迟),主要面向高端网络应用,诸如封包缓冲、侦测、链表、查询表等等。

▲RLDRAM3
目前展示的原型基于Virtex-7、Kentex-7FPGA,数据率最高1600MHz,存储密度和传输带宽都很高,而且有着类似SRAM的快速随机访问。相比于上一代的Virtex-6FPGARLDRAM2,数据率和带宽提高了60%之多。

▲RLDRAM3
RLDRAM3使用了创新的电路设计,争取将每个访问周期开端到首个数据可用期间的时间差缩短到最小,同时还有超低的总线周转时间,可实现更高的持续带宽和短期平衡读写比例。
RLDRAM3可用于需要更高速度、更大密度、更低功耗、更低延迟的40G、100G网络系统。Virtex-7、Kentex-7FPGA也针对RLDRAM3进行了必要的优化,可大幅提升高性能无线、有线网络系统的性能。
XilinxRLDRAM3内存界面的IP核心现已公开提供,用户可配置的IP核心将在九月份通过设计套件ISEDesignSuite13.4提供。美光RLDRAM3设备现有x18、x36两种配置方式,速度最低800MHz、最高1600MHz。

▲RLDRAM3
目前展示的原型基于Virtex-7、Kentex-7FPGA,数据率最高1600MHz,存储密度和传输带宽都很高,而且有着类似SRAM的快速随机访问。相比于上一代的Virtex-6FPGARLDRAM2,数据率和带宽提高了60%之多。

▲RLDRAM3
RLDRAM3使用了创新的电路设计,争取将每个访问周期开端到首个数据可用期间的时间差缩短到最小,同时还有超低的总线周转时间,可实现更高的持续带宽和短期平衡读写比例。
RLDRAM3可用于需要更高速度、更大密度、更低功耗、更低延迟的40G、100G网络系统。Virtex-7、Kentex-7FPGA也针对RLDRAM3进行了必要的优化,可大幅提升高性能无线、有线网络系统的性能。
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