三星成功研制出4GbLPDDR3内存颗粒！

    在近日的MobileSolutionsForum论坛大会上，三星电子宣布了一项新的成果，基于低压版的4GbLPDDR3已经成功研发，于此同时三星还宣布了容量高达64GB的embeddedmultimediacard(e-MMC)。

    

    据悉三星新的4GbLPDDR3内存采用了30nm工艺制造，相对前任产品节能20%，频率可以达到1600Mbps，另外产品还可以堆叠成8Gb或16Gb，单条标准内存就可以实现32GB的容量。产品预计将于Q4季度进入样品阶段。

    而新的64GBe-MMCNAND则采用了三星最新的e20nm工艺，采用了toggleDDR2.0接口，读写速度分别可以达到80MB/s和40MB/s，产品的质量仅有0.6克，另外厚度也只有1.4mm，非常适合高容量智能手机或平板电脑。