GDDR3：新工艺让GDDR3频率一路飙升

    GDDR3的频率能达到现在这么高，其实并没有什么诀窍，凭借的就是不断改进的工艺制程，来暴力拉升频率。资历稍老点的玩家应该知道，GDDR3于2004年初次登台亮相时，6600GT的显存频率仅为1GHz，并不比GDDR2高，5年过去了，GDDR3从1GHz一路攀升至2GHz甚至2.5GHz，生命力得到了延续。

    明白了GDDR3的原理技术后，再来看看实物。GDDR3和GDDR1类似，也有两种封装形式：

    ●144BallMBGA封装，为了向下兼容GDDR和GDDR2

    最初的GDDR3采用了144BallMBGA封装，这与GDDR和GDDR2第一版完全相同，外观也是正方形，三者的电气性能相似，支持GDDR3的GPU也可使用GDDR显存，PCB和电路只需做少量调整。

    

    三星2.0ns8M×32BitGDDR3颗粒

    144Ball封装的GDDR3只有8M×32Bit一种规格，所以8颗显存组成256MB256Bit、或者4颗显存组成128MB128Bit是当时的主流。5700Ultra就首次使用了GDDR3取代了GDDR2。

    144Ball封装的GDDR3主要有2.0ns(1000MHz)和1.6ns(1250MHz)两种速度，1.4ns良率不高产量很小，最高频率止步于1400MHz。曾被7800GTX/GT、6800GS、6600GT、X850/X800/X700等显卡大量采用。由于144Ball封装及PCB电路限制了其频率的提升，很快GDDR3就改用了电气性能更好的136BallFBGA封装。

    ●136BallFBGA封装，频率容量节节攀升

    为了提高电气性能和环保水平，从2005年开始，GDDR3开始采用全新的136BallFBGA封装，并统一使用无铅封装工艺。新封装使得显卡PCB必须重新设计，但也为GDDR3的腾飞铺平了道路。

    

    三星0.8nsGDDR3显存16M×32Bit规格

    136Ball封装GDDR3的优势如下：

    

• 规格不再局限于8M×32Bit一种，16M×32Bit成为主流，目前32M×32Bit已大量采用；
• 伴随着制造工艺的进步，额定电压从2.0V进一步降至1.8V，但一些高频颗粒可适当加压；
• 速度从1.4ns起跳，经过1.2ns、1.1ns、1.0ns一路发展至0.8ns、0.7ns，最快速度可突破2500MHz，但这是以牺牲延迟为代价的，好在GPU对延迟不太敏感；

当GDDR3的频率首次达到2000MHz时，很多人都认为离极限不远了，于是未雨绸缪的抓紧制定GDDR4规范，但没想到在DRAM厂商的努力及新工艺的支持下，GDDR3的生命得到了延续，0.8ns0.7ns的型号相继量产，而且容量更大的32M×32Bit颗粒也成为主流，基本上能够满足高中低端所有显卡的需要。

    

    当前速度最快0.77nsGDDR3显存颗粒，理论频率可达2600MHz

    当年2.2nsGDDR最高可达900MHz，核心频率和I/O频率止步于450MHz。经过5年时间的发展，GDDR3凭借新工艺终于在核心频率和I/O频率方面取得突破，核心频率可达600MHz以上，I/O频率超过1200MHz，此时过高的I/O频率成为了新的瓶颈。